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申请/专利权人：钰创科技股份有限公司;发明创新暨合作实验室有限公司
摘要：本发明公开了一种存储单元结构。所述存储单元结构包含一硅基板，一晶体管，一位线，和一电容。所述硅基板具有一硅表面。所述晶体管耦接所述硅表面，其中所述晶体管包含一栅极结构、一第一导通区以及一第二导通区。所述位线电耦接所述晶体管的第一导通区以及位在所述硅表面下方。所述电容位在所述晶体管上方以及电耦接所述晶体管的第二导通区。因此，相较于现有技术所述存储单元结构具有更致密的结构，较小的面积，较低的漏电流，较高的电容值等优点。
主权项：1.一种存储单元结构，其特征在于包含：一硅基板，具有一硅表面；一晶体管，耦接所述硅表面，其中所述晶体管包含一栅极结构、一第一导通区以及一第二导通区；一位线，电耦接所述晶体管的第一导通区以及位在所述硅表面下方；一电容，位在所述晶体管上方以及电耦接所述晶体管的第二导通区，其中所述电容的下电极直接覆盖所述晶体管的栅极结构的顶面；一第一间隔层，覆盖所述栅极结构的第一侧壁且位在所述硅表面上方；及一第二间隔层，覆盖所述栅极结构的第二侧壁且位在所述硅表面上方；其中所述栅极结构的至少一部分从所述硅表面向下延伸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 钰创科技股份有限公司 发明创新暨合作实验室有限公司 具有电容在晶体管上方的存储单元结构
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