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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十二研究所
摘要：本发明的一个实施例公开了一种高频结构，所述高频结构包括慢波电路；在所述慢波电路上下两侧的聚焦系统；第一吸收负载和第二吸收负载；所述慢波电路包括第一折叠波导和第二折叠波导；所述第一折叠波导的第一端具有垂直慢波电路并穿过所述聚焦系统向外延伸的第一延伸部，所述第一延伸部为与所述第一吸收负载相连的第一输能系统；所述第二折叠波导的第一端具有垂直慢波电路并穿过所述聚焦系统向外延伸的第二延伸部，所述第二延伸部为与所述第二吸收负载相连的第二输能系统。
主权项：1.一种高频结构，其特征在于，所述高频结构包括慢波电路；在所述慢波电路上下两侧的周期永磁聚焦系统；第一吸收负载和第二吸收负载；所述慢波电路包括第一折叠波导和第二折叠波导；所述第一折叠波导的第一端具有垂直慢波电路并穿过所述聚焦系统向外延伸的第一延伸部，所述第一延伸部为与所述第一吸收负载相连的第一输能系统；所述第二折叠波导的第一端具有垂直慢波电路并穿过所述聚焦系统向外延伸的第二延伸部，所述第二延伸部为与所述第二吸收负载相连的第二输能系统;所述高频结构还包括：所述第一折叠波导的第二端具有垂直慢波电路并穿过所述聚焦系统向外延伸的第三延伸部，所述第三延伸部为第三输能系统；所述第二折叠波导的第二端具有垂直慢波电路并穿过所述聚焦系统向外延伸的第四延伸部，所述第四延伸部为第四输能系统；所述第三输能系统用于接收输入的信号；所述第四输能系统用于输出处理后的信号。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十二研究所 一种高频结构
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