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申请/专利权人：成都齐兴真空镀膜技术有限公司
摘要：本发明公开了一种高频高介电旋磁复合材料及其制备方法，其包括沉积于基底上的Li7La3Zr2‑yTiyO12介电层和涂覆于Li7La3Zr2‑yTiyO12介电层上的Y3Fe5‑xInxO12磁性层，Y3Fe5‑xInxO12磁性层与Li7La3Zr2‑yTiyO12介电层的质量比为1:m，其中，x取值范围为0.20‑0.30，y取值范围为0.1‑0.3，m取值范围为0.2‑0.6。本发明提供的高频高介电旋磁复合材料，实现了高介电常数和低铁磁共振线宽，可应用于旋磁器件环行器、隔离器基板中，可以很好的实现旋磁器件的小型化和高频化，为高频和集成化的通信设备的应用提供了新的选择。
主权项：1.一种高频高介电旋磁复合材料，其特征在于，为厚膜复合材料，包括沉积于基底上的Li7La3Zr2-yTiyO12介电层和涂覆于Li7La3Zr2-yTiyO12介电层表面上的Y3Fe5-xInxO12磁性层，所述Y3Fe5-xInxO12磁性层与Li7La3Zr2-yTiyO12介电层的质量比为1:m，其中，x取值范围为0.20-0.30，y取值范围为0.1-0.3，m取值范围为0.2-0.6，所述Y3Fe5-xInxO12磁性层与Li7La3Zr2-yTiyO12介电层的晶体结构相同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都齐兴真空镀膜技术有限公司 一种高频高介电旋磁复合材料及其制备方法
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