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申请/专利权人：上海稷以科技有限公司
摘要：本发明提出了一种基于钛衬底的二氧化硅刻蚀方法，包括：步骤1、采用CF4和O2的低压射频等离子体，进行二氧化硅刻蚀；步骤2、采用O2和第一气体的高压射频等离子体，使得钛金属表面形成一层氧化膜；第一气体用于提高钛氧化物形成的速度和密度；步骤3、采用O2和CF4的低压射频等离子体，进行过刻蚀去除残留的二氧化硅。本发明中在刻蚀完二氧化硅一段时间后，快速生成致密的钛氧化物，以附在衬底钛表面从而起到保护作用。由此，金属钛表层氧化物没有参与反应，减少了对金属钛的损伤。
主权项：1.一种基于钛衬底的二氧化硅刻蚀方法，其特征在于，所述二氧化硅的下方是一层钛金属及其表层氧化物，包括以下步骤：步骤1、采用CF4和O2的低压射频等离子体，进行二氧化硅刻蚀；射频等离子体的气压为60-100mT、源射频为0-300W、偏压射频为150-200W；步骤2、采用O2和第一气体的高压射频等离子体，使得钛金属表面形成一层氧化膜；第一气体用于提高钛氧化物形成的速度和密度；其中，所述第一气体为N2或N2和Ar气体；当第一气体为N2时，O2流量为100-200sccm，N2流量为200-400sccm；当第一气体为N2和Ar气体，Ar流量为5-20sccm；O2的气压为500-1000mT、源射频为1000-1500W；高压射频等离子体的气压大于步骤1中低压射频等离子体的气压；步骤3、采用O2和CF4的低压射频等离子体，进行过刻蚀去除残留的二氧化硅；等离子体的气压为300-500mT、源射频为1000-1500W。
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权利要求：
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