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申请/专利权人：西南科技大学

摘要：本发明公开了一种线性聚硅氧烷低介电损耗光敏树脂的制备及光刻图案化的应用，其由二甲氧基甲基苯并环丁烯基乙烯基硅烷类线性聚合物、光引发体系和有机溶剂配制形成光敏溶液，通过光敏溶液制备光敏薄膜，即用于光刻图案化的线性聚硅氧烷低介电损耗光敏树脂。本发明的光敏体系光固化后所得的图案具有较高的清晰度，通过光热双交联过程，所得的薄膜具有较高的热稳定性；同时在热处理过程中，未反应的光引发剂会热分解，不会影响薄膜的介电性能；本发明提供的线性聚硅氧烷光敏树脂，具有比较优异的介电性能10GHz，Dk:2.7，Df：0.002～0.003、耐热性T5％:450℃以及化学稳定性，有望应用于微电子领域。

主权项：1.一种用于光刻图案化的线性聚硅氧烷低介电损耗光敏树脂在光刻图案化中的应用，其特征在于，使用365nm的UV-LED点光源通过光掩膜版对光敏薄膜进行曝光，曝光的区域交联固化而难溶于显影液，未曝光的区域则可溶于显影液；经过显影液显影得到与光掩膜版一致的图案；最后对光固化后的薄膜进行热处理，得到高交联密度的薄膜；所述显影液为体积比为2~8:1的环己酮：和石油醚；所述热处理的过程为150~170℃保温0.5~1.5小时、175~190℃保温0.5~1.5小时、195~205℃保温1~3小时、210~220℃保温1~3小时、225~235℃保温1~3小时、210~220℃保温0.5~1.5小时、195~205℃保温0.5~1.5小时、175~190℃保温0.5~1.5小时、150~170℃保温0.5~1.5小时、自然降温；所使用的UV-LED点光源的波长范围为248-436nm；所使用的UV-LED点光源的曝光能量范围为5-5000mWcm2；所使用的UV-LED点光源的曝光时间范围为1-1000s；其中，用于光刻图案化的线性聚硅氧烷低介电损耗光敏树脂的制备方法为：由二甲氧基甲基苯并环丁烯基乙烯基硅烷类线性聚合物、光引发体系和有机溶剂配制形成光敏溶液，通过光敏溶液制备光敏薄膜，即用于光刻图案化的线性聚硅氧烷低介电损耗光敏树脂；所述二甲氧基甲基苯并环丁烯基乙烯基硅烷类线性聚合物为用甲氧基二甲基苯并环丁烯乙烯基硅烷单体封端的二甲氧基甲基苯并环丁烯基乙烯基硅烷与二甲氧基甲基苯乙烯基硅烷的共聚物，其结构式为：式Ⅱ：；其中，n=1~1000，m=1~1000；所述光引发体系为叠氮化物、双马来酰亚胺、丙烯酸酯、乙炔、异氰酸酯、共轭芳族酮的聚合物中的一种或几种的组合；所述有机溶剂为甲苯、二甲苯、三甲苯、三氯甲烷、环戊酮、二氯甲烷、N-甲基吡咯烷酮的一种或几种；所述有机溶剂的体积与二甲氧基甲基苯并环丁烯基乙烯基硅烷类线性聚合物的质量比例范围为3~10mL：1g；所述配制形成光敏溶液的过程中进行超声溶解；所述配制形成光敏溶液的过程中在避光下进行。

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百度查询： 西南科技大学 线性聚硅氧烷低介电损耗光敏树脂的制备及光刻图案化的应用