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申请/专利权人：浙江求是创芯半导体设备有限公司
摘要：本发明属于半导体加工技术领域，公开了缓存腔体及晶圆暂存装置，缓存腔体包括缓存腔组件，缓存腔组件的缓存腔本体具有容置晶圆的缓存腔，上腔盖本体和下腔盖本体分别可拆卸连接于缓存腔本体两端以封闭缓存腔，上腔盖本体和或下腔盖本体朝向缓存腔的一侧设置有凸起部，缓存腔组件开设有连通缓存腔的进气口和出气口；上腔盖本体和或下腔盖本体和或水冷盘机构开设有连通缓存腔的若干导流槽，导流槽连通进气口和或出气口以形成若干冷却流道，冷却气体沿冷却流道流动。本发明的缓存腔体能提冷却效率较高，避免腔内气流紊乱造成的颗粒物扬起而污染晶圆表面的问题，提升晶圆暂存装置的加工效率和加工质量。
主权项：1.缓存腔体，其特征在于，包括：缓存腔组件（1），所述缓存腔组件（1）包括缓存腔本体（11）、上腔盖本体（12）和下腔盖本体（13），所述缓存腔本体（11）具有容置晶圆的缓存腔（111），所述上腔盖本体（12）和所述下腔盖本体（13）分别可拆卸连接于所述缓存腔本体（11）的两端以封闭所述缓存腔（111），所述上腔盖本体（12）和或所述下腔盖本体（13）朝向所述缓存腔（111）的一侧设置有凸起部（10），所述缓存腔组件（1）开设有连通所述缓存腔（111）的进气口（14）和出气口（15），所述进气口（14）连接提供冷却气体的外部冷却供气机构；所述上腔盖本体（12）和或所述下腔盖本体（13）开设有连通所述缓存腔（111）的若干导流槽（20），所述导流槽（20）连通所述进气口（14）和或所述出气口（15）以形成若干冷却流道，所述冷却气体沿所述冷却流道流动；其中，所述上腔盖本体（12）朝向所述缓存腔（111）的一侧设置有第一凸起部（101），所述第一凸起部（101）和所述缓存腔本体（11）的内腔壁之间形成第一导流槽（201），所述进气口（14）开设于所述上腔盖本体（12），所述第一凸起部（101）内凹以形成避让侧壁（1013），所述避让侧壁（1013）环绕所述进气口（14）以形成第三导流槽（203），所述第三导流槽（203）连通所述第一导流槽（201）以形成所述冷却流道。
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