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申请/专利权人：上海邦芯半导体科技有限公司
摘要：本说明书实施例提供一种等离子刻蚀设备，包括静电吸盘、聚焦环、第一密封圈、第二密封圈和晶圆，聚焦环环绕静电吸盘设置，第一密封圈和第二密封圈均设置于静电吸盘的第一侧，且第一密封圈直径小于第二密封圈，设备还包括：第一吹气管路，第一吹气管路向第一密封圈形成的第一区间内吹扫气体；第二吹气管路，第二吹气管路向第二密封圈和第一密封圈之间的第二区间内吹扫气体；第三吹气管路，第三吹气管路向第二密封圈与聚焦环之间的第三区间内吹扫气体。第一吹气管路向第一密封圈内吹扫气体，第二吹气管路向第二密封圈和第一密封圈之间吹扫气体，第三吹气管路向第二密封圈与聚焦环之间的第三区间内吹扫气体，通过三区吹扫，保证晶圆温度分布均匀。
主权项：1.一种等离子刻蚀设备，包括静电吸盘、聚焦环、第一密封圈、第二密封圈和晶圆，所述聚焦环环绕所述静电吸盘设置，所述第一密封圈和所述第二密封圈均设置于所述静电吸盘的第一侧，且所述第一密封圈直径小于所述第二密封圈，所述晶圆置于所述第一密封圈和所述第二密封圈上，其特征在于，所述设备还包括：第一吹气管路，所述第一吹气管路向所述第一密封圈形成的第一区间内吹扫气体；第二吹气管路，所述第二吹气管路向所述第二密封圈和所述第一密封圈之间的第二区间内吹扫气体；第三吹气管路，所述第三吹气管路向所述第二密封圈与所述聚焦环之间的第三区间内吹扫气体，所述第三吹气管路向所述第三区间内吹气流量发生变化时，所述晶圆处于所述第二密封圈外侧的部分刻蚀速率发生变化，所述聚焦环被刻蚀变薄后，通过改变所述第三吹气管路对所述第三区间内吹气流量，稀释反应气体在所述晶圆边缘位置处的浓度和与所述晶圆的有效接触面积，减小所述晶圆边缘处的刻蚀速率，从而提高刻蚀均匀度以达到延长所述聚焦环的使用寿命；其中，所述第三区间为单向吹扫控温区间。
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权利要求：
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