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申请/专利权人：恒泰柯半导体(上海)有限公司

摘要：本发明公开了一种屏蔽栅MOSFET器件，该器件包括：第一导电类型衬底；第一导电类型漂移区，位于第一导电类型衬底的一侧；第二导电类型吸引层和第一导电类型排斥层，第一导电类型排斥层的掺杂浓度大于第一导电类型漂移区的掺杂浓度；第二导电类型体区，位于第二导电类型吸引层远离第一导电类型衬底的一侧；第二导电类型接触区和第一导电类型有源区；源极和栅源介质层，源极与第一导电类型有源区接触；栅极介质层、屏蔽栅和控制栅，屏蔽栅和控制栅位于栅极介质层内部，且在第一导电类型衬底的厚度方向上间隔设置；漏极，位于第一导电类型衬底远离第一导电类型漂移区的一侧。本发明有效解决了单粒子栅穿效应造成的物理损伤问题。

主权项：1.一种屏蔽栅MOSFET器件，其特征在于，包括：第一导电类型衬底；第一导电类型漂移区，位于所述第一导电类型衬底的一侧；第二导电类型吸引层和第一导电类型排斥层，所述第二导电类型吸引层位于所述第一导电类型漂移区远离所述第一导电类型衬底的一侧，所述第一导电类型排斥层位于所述第一导电类型漂移区远离所述第一导电类型衬底的一侧且位于所述第二导电类型吸引层的两侧；所述第一导电类型排斥层的掺杂浓度大于所述第一导电类型漂移区的掺杂浓度；第二导电类型体区，位于所述第二导电类型吸引层远离所述第一导电类型衬底的一侧，所述第二导电类型体区覆盖所述第二导电类型吸引层和所述第一导电类型排斥层；第二导电类型接触区和第一导电类型有源区，所述第二导电类型接触区位于所述第二导电类型体区远离所述第一导电类型衬底的一侧，所述第一导电类型有源区位于所述第二导电类型体区远离所述第一导电类型衬底的一侧且位于所述第二导电类型接触区的两侧；源极和栅源介质层，所述源极位于所述第二导电类型接触区远离所述第一导电类型衬底的一侧，所述源极与所述第一导电类型有源区接触；所述栅源介质层位于所述第二导电类型接触区远离所述第一导电类型衬底的一侧且位于所述源极的两侧；栅极介质层、屏蔽栅和控制栅，所述栅极介质层位于所述第一导电类型漂移区和所述栅源介质层之间，所述屏蔽栅和所述控制栅位于所述栅极介质层内部，且在所述第一导电类型衬底的厚度方向上间隔设置；漏极，位于所述第一导电类型衬底远离所述第一导电类型漂移区的一侧；所述第二导电类型吸引层靠近所述衬底的一侧为不平整的表面，所述第二导电类型吸引层靠近所述衬底的一侧的中间区域向所述衬底凸起或向所述第二导电类型体区凹陷；所述第一导电类型排斥层的体积和掺杂浓度均小于所述第二导电类型吸引层的体积和掺杂浓度。

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