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申请/专利权人：深迪半导体(绍兴)有限公司
摘要：本发明提供了一种MEMS器件及其制造方法，所述MEMS器件是压阻式压力传感器和惯性传感器的集成器件，其中包括惯性器件层和盖体，所述结构层惯性器件层设置有惯性传感器结构；所述盖体与所述惯性器件层相连接；所述盖体设置有压阻式压力传感器结构。
主权项：1.一种MEMS器件，包括惯性器件层、第二衬底层和盖体，所述惯性器件层设置有惯性传感器结构；所述惯性器件层分别与所述第二衬底层和所述盖体相连接，所述第二衬底层、所述惯性器件层和所述盖体依次层叠设置，其特征在于，所述盖体设置有压阻式压力传感器结构；所述盖体包括依次层叠设置的第一衬底层、结构层和连接层；所述结构层设置有压力感应薄膜；所述连接层与所述惯性器件层相连接；所述第一衬底层设置有将所述压力感应薄膜与外界连通的开口；所述盖体还包括导电层，所述导电层分别与所述连接层和所述压力感应薄膜相连接；所述第二衬底层、所述压力感应薄膜、所述导电层和所述连接层限定了所述惯性传感器结构所处的空腔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深迪半导体(绍兴)有限公司 MEMS器件及其制造方法
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