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申请/专利权人：原子能与替代能源委员会
摘要：本公开涉及一种在覆盖包含锗的半导体区域的绝缘层中形成开口的方法，其相继包括：在绝缘层上形成第一掩蔽层；在第一掩蔽层上形成包含开口的第二掩蔽层；在第一掩蔽层中蚀刻开口，与第二掩蔽层的开口成一条直线；通过氧基蚀刻去除第二掩蔽层；和通过氟基刻蚀形成与第一掩蔽层的开口成一条直线的所述绝缘层的开口。
主权项：1.一种在覆盖包含锗的半导体区域110的绝缘层510中形成开口600的方法，所述方法相继地包含：a在绝缘层510上形成第一掩蔽层1110；b在第一掩蔽层1110上形成包含开口1122的第二掩蔽层1120；c蚀刻在第一掩蔽层中的开口1210，第一掩蔽层中的开口1210与第二掩蔽层的开口成一条直线；d通过氧基蚀刻去除第二掩蔽层1120；和e通过蚀刻形成与第一掩蔽层的开口成一条直线的所述绝缘层510的开口600，其中所使用的反应分子中少于5％是氧分子；其中附加层500位于所述半导体区域110与所述绝缘层510之间，所述附加层由硅制成或具有大于70％的硅原子百分比。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 原子能与替代能源委员会 锗上的接触区
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