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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本发明涉及光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法。具体地，在光致抗蚀剂层中形成图案的方法包括在基材上方形成光致抗蚀剂层，将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射，形成潜在图案。通过施加显影剂来使潜在图案显影以形成图案。光致抗蚀剂层包含光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含如下聚合物。
主权项：1.一种在光致抗蚀剂层中形成图案的方法，所述方法包括：在基材上方形成光致抗蚀剂层；将所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案；以及通过将显影剂施加至经选择性暴露的光致抗蚀剂层来使所述潜在图案显影以形成图案，其中所述光致抗蚀剂层包含光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含聚合物，其中所述聚合物具有下式： 其中A1、A2和L独立地是直接键、二价C6-C30芳族基团、二价C4-C30烷基、二价C4-C30羟基烷基、二价C4-C30烷氧基、二价C4-C30烷氧基烷基、二价C4-C30乙酰基、二价C4-C30乙酰基烷基、二价C4-C30烷基羧基、二价C4-C30环烷基羧基、二价C4-C30饱和或不饱和烃环或二价C4-C30杂环基团，其中A1和A2并非二者均是直接键，其中A1和A2是未被取代的或者被卤素、羰基或羟基取代的；A3是C6-C14芳族基团，其中A3是未被取代的或者被卤素、羰基或羟基取代的；R1是酸不稳定基团；Ra和Rb独立地是H或C1-C3烷基；Rf是直接键或C1-C5氟碳；PAG是光致产酸剂基团；并且0xx+y+z1，0yx+y+z1，并且0zx+y+z1，其中，当L为直接键且A3是羟基苯基时，A1为苯基或萘基，A2为苯基或萘基，或者A1和A2二者均为苯基或萘基；或者其中，L为直接键，且A3为羟基萘基或羟基蒽基；或者其中，L为-COO-，且A3为羟基萘基或羟基蒽基。
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