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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置10具备腔室11、气体供给源44、天线54以及多个保持部55。腔室11在内部具有空间，利用在空间内生成的等离子体对被搬入到空间内的半导体晶圆W进行处理。气体供给源44向腔室11的空间内供给处理气体。天线54具有卷绕两圈以上的线路540，通过由在线路540中流动的电流在腔室11的空间内形成的感应电场来在空间内生成等离子体。各个保持部55保持天线54的线路540。另外，保持部55以与相邻的其它保持部55之间形成规定距离以上的间隙的方式配置于天线54的线路540。
主权项：1.一种等离子体处理装置，具备：腔室11，其具有等离子体处理空间；大致圆形的天线54，其配置于所述等离子体处理空间的上方，所述大致圆形的天线54具有第一线路540和第二线路540；高频电源61，其与所述天线54连接；第一绝缘保持部55，其仅保持所述第一线路540；第二绝缘保持部55，其仅保持所述第二线路540；以及至少一个支承部，所述至少一个支承部用于支承所述第一绝缘保持部55和所述第二绝缘保持部55，其中，所述第一线路540和所述第二线路540在所述天线54的径向A上相邻，所述天线54是一个导电体卷绕成的螺旋状的、两圈以上的线圈，所述第一绝缘保持部55与所述第二绝缘保持部55之间的距离d2比所述第一线路540与所述第二线路540之间的距离d1大。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
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