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申请/专利权人：济南晶恒电子有限责任公司
摘要：本发明提供了一种抗EMI的超结VDMOS器件及其制备方法，该器件在超结的漂移区中具有由氧化层SiO2‑半绝缘多晶硅层SIPOS‑氧化层SiO2组成的复合介质层。氧化层隔绝漂移区与SIPOS层，SIPOS层下方与器件漏极金属相接，上方与器件源极金属相接。在器件关断状态下，复合介质层辅助耗尽超结漂移区，从而可大幅提高漂移区掺杂浓度，也可以缓解由于超结P柱与N柱之间失配导致的耐压降低现象；在器件开关过程中，由于SIPOS直接连接器件的源极与漏极，极大地提高了器件的输出电容Coss，减少了开关震荡，从而减少了器件的电压震荡dVdt失效可能性和EMI噪声。
主权项：1.一种抗EMI的超结VDMOS器件，其特征在于：包括：第一导电类型的衬底；衬底下侧的漏极金属，衬底上方的超结漂移区；位于超结漂移区内且贯穿整个超结漂移区的复合介质层，复合介质层包括：外围氧化层介质、外围氧化层介质内的U型半绝缘多晶硅层以及U型半绝缘多晶硅层内的氧化层介质；U型半绝缘多晶硅层上侧的源极金属，U型半绝缘多晶硅层的底部直接与衬底相接，顶部直接与源极金属相接；超结漂移区上侧掺杂形成的左右两处第二导电类型的基区；基区上侧的掺杂形成的第一导电类型的源区和第二导电类型的欧姆接触区；源区和欧姆接触区上侧的源极金属；基区上侧的栅氧化层；栅氧化层上侧的栅极金属，栅极金属与源极金属通过氧化层隔开；超结漂移区包括第一导电类型漂移区和第二导电类型漂移区，第一导电类型漂移区的下侧与衬底的上侧连接，第一导电类型漂移区的上侧与栅氧化层的下侧连接；第二导电类型漂移区的下侧与衬底的上侧连接，第二导电类型漂移区的上侧与第二导电类型基区的下侧连接；第一导电类型漂移区的一侧与复合介质层接触，另一侧与第二导电类型漂移区接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 济南晶恒电子有限责任公司 一种抗EMI的超结VDMOS器件及制备方法
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