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申请/专利权人：河南仕佳光子科技股份有限公司
摘要：本发明提出了一种包层集成微透镜的阵列波导光栅解复用器芯片及制备方法，用以解决现有阵列波导光栅解复用器芯片在垂直方向上与探测器之间耦合时出现的光电转换效率偏低的技术问题。本发明的制备方法制备的阵列波导光栅解复用器芯片在45°全反射光路的包层表面利用半导体工艺加工一个微透镜，光束在芯区层内沿水平传播至输出波导处，经输出波导处的45°全反射角反射，光束沿竖直方向经过包层，经包层上与芯区层相对应的微透镜进行聚焦，光束的尺寸减小，使光束大部分光束能量能被探测器的光接收面接收到，提高光耦合效率，且微透镜的存在使得芯片和探测器之间的距离无需缩小，增大芯片和探测器之间的耦合距离，降低耦合封装的难度，提高效率。
主权项：1.一种包层集成微透镜的阵列波导光栅解复用器芯片，其特征在于，包括样片层（1）、芯区层（2）和包层（3），所述包层（3）位于样片层（1）上，所述芯区层（2）位于样片层（1）和包层（3）之间，所述包层（3）的上部刻蚀有与芯区层（2）内通过的光束相对应的微透镜；其制备方法，包括以下步骤：S1、在二氧化硅制备的样片层（1）上生长锗掺杂的二氧化硅层，得到芯区层（2），通过光刻和刻蚀工艺将阵列波导光栅解复用器波导图形转移到芯区层（2）上；S2、在步骤S1中得到的芯区层（2）的表面上生长硼和磷掺杂的二氧化硅层，得到包层（3）；S3、在步骤S2中得到的包层（3）表面涂覆光刻胶，得到光刻胶层（4）；S4、通过光刻显影工艺，将微透镜掩膜版（5）上的图形转移到步骤S3中得到的光刻胶层（4）上；S5、步骤S4中得到的光刻胶层（4）经过高温回流工艺发生形变，变化为半球状结构；S6、使用步骤S5中得到的半球状结构的光刻胶层（4）作为掩膜进行ICP刻蚀，在包层（3）表面刻蚀处微透镜图形，得到包层（3）集成微透镜；S7、在芯片的输出波导处进行45°全反射角的磨抛；S8、在包层（3）的表面镀增透膜（6）。
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权利要求：
百度查询： 河南仕佳光子科技股份有限公司 包层集成微透镜的阵列波导光栅解复用器芯片及制备方法
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