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申请/专利权人：高通股份有限公司
摘要：描述了射频集成电路RFIC。该RFIC包括开关场效应晶体管FET，该FET包括源极区、漏极区、体区和栅极。该RFIC还包括耦合在栅极与体区之间的体旁路电阻器Rb。该RFIC还包括耦合在栅极与体区之间的栅极隔离电阻器Rg。该RFIC还包括耦合在体旁路电阻器与栅极隔离电阻器之间的二极管。
主权项：1.一种射频集成电路RFIC，包括：开关场效应晶体管FET，包括源极区、漏极区、体区和栅极；体旁路电阻器，耦合在内部电压Vint节点与所述体区之间；栅极隔离电阻器，耦合在所述栅极与所述内部电压Vint节点之间，所述栅极隔离电阻器的电阻大于所述体旁路电阻器的电阻，以允许电荷从所述体区逸出，从而提供RF隔离而不会对所述栅极去偏置；以及二极管，耦合在所述体旁路电阻器与所述栅极隔离电阻器之间。
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