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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种半导体器件包括：设置在衬底上的第一电极；在第一电极上的磁隧道结MTJ；在MTJ上的覆盖层；在覆盖层上的应力诱导层；以及在应力诱导层上的第二电极。应力诱导层可以具有张应力。
主权项：1.一种半导体器件，包括：在衬底上的第一电极；在所述第一电极上的磁隧道结MTJ，所述磁隧道结包括：在所述第一电极上的参考层；在所述参考层上的隧道势垒层；和在所述隧道势垒层上的存储层，使得所述隧道势垒层在所述参考层和所述存储层之间；在所述磁隧道结上的覆盖层，所述覆盖层包括金属氧化物；在所述覆盖层上的应力诱导层，所述应力诱导层具有张应力；以及在所述应力诱导层上的第二电极，其中所述应力诱导层在所述覆盖层和所述第二电极之间，其中所述应力诱导层包括金属氮化物，其中所述应力诱导层和所述磁隧道结被退火以使所述磁隧道结结晶，其中所述应力诱导层设置为直接接触所述覆盖层的顶表面和所述第二电极的底表面，所述第二电极在所述应力诱导层和所述磁隧道结被退火之后形成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 包括应力诱导层的半导体器件及其形成方法
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