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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本申请的各个实施例针对一种形成金属‑绝缘体‑金属MIM电容器的方法，MIM电容器包括增强的界面层以减少击穿故障。在一些实施例中，在衬底上方沉积底部电极层。在底部电极层的顶面上形成原生氧化物层，原生氧化物层与顶面具有第一粘附强度。执行等离子体处理工艺以用界面层代替原生氧化物层。界面层是导电的并且与底部电极层的顶面具有第二粘附强度，并且第二粘附强度大于第一粘附强度。在界面层上沉积绝缘体层。在绝缘体层上沉积顶部电极层。图案化顶部电极层、底部电极层、绝缘体层和界面层以形成MIM电容器。本发明的实施例还涉及金属‑绝缘体‑金属电容器。
主权项：1.一种形成金属-绝缘体-金属MIM电容器的方法，包括：在衬底上方沉积底部电极层；在所述底部电极层的顶面上形成原生氧化物层，其中，所述原生氧化物层与所述底部电极层的所述顶面具有第一粘附强度；执行等离子体处理工艺以用界面层代替所述原生氧化物层，其中，所述界面层是导电的并且与所述底部电极层的所述顶面具有第二粘附强度，并且其中，所述第二粘附强度大于所述第一粘附强度；在所述界面层上沉积绝缘体层；在所述绝缘体层上沉积顶部电极层；以及图案化所述顶部电极层、所述底部电极层、所述绝缘体层和所述界面层，以形成金属-绝缘体-金属电容器，其中，执行等离子体处理工艺包括生成等离子体以及将所述底部电极层的顶面暴露于等离子体，并且其中，所述界面层具有非零厚度并且在生成等离子体结束时包括氧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法
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