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申请/专利权人：广州市众拓光电科技有限公司

摘要：本发明涉及发光二极管技术领域，具体涉及一种P型电子阻挡层结构及其外延结构和制备方法。所述P型电子阻挡层结构从下至上包括多周期的P型InxnAlynGa1‑xn‑ynN层和P型AlaGabN层，1＜n≤6。所述LED外延结构从下至上包括衬底、缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、量子阱发光层、上述的P型电子阻挡层和P型GaN层。本发明提供的P型电子阻挡层结构和LED外延结构可以调节应力，改善材料界面的晶格失配，减小发光层能带发生的畸变，提高电子和空穴复合效率，提高了LED发光效率和抗静电性能。

主权项：1.一种P型电子阻挡层结构，其特征在于，P型电子阻挡层结构从下至上包括P型In0.1Al0.1Ga0.8N层、P型In0.05Al0.15Ga0.8N层和P型Al0.2Ga0.8N层；P型In0.1Al0.1Ga0.8N层厚度为4nm，P型In0.05Al0.15Ga0.8N层厚度为6nm，P型Al0.2Ga0.8N层厚度为15nm；或P型电子阻挡层结构从下至上包括P型In0.1Al0.1Ga0.8N层、P型In0.08Al0.12Ga0.8N层、P型In0.06Al0.14Ga0.8N层、P型In0.04Al0.16Ga0.8N层和P型Al0.2Ga0.8N层；P型In0.1Al0.1Ga0.8N层厚度为2nm，P型In0.08Al0.12Ga0.8N层厚度为3nm，P型In0.06Al0.14Ga0.8N层厚度为4nm，P型In0.04Al0.16Ga0.8N层厚度为5nm，P型Al0.2Ga0.8N层厚度为20nm；或P型电子阻挡层结构从下至上包括P型In0.12Al0.08Ga0.8N层、P型In0.1Al0.1Ga0.8N层、P型In0.08Al0.12Ga0.8N层、P型In0.06Al0.14Ga0.8N层、P型In0.04Al0.16Ga0.8N层和P型Al0.2Ga0.8N层；其中P型In0.12Al0.08Ga0.8N层的厚度为2nm，P型In0.16Al0.1Ga0.8N层的厚度为3nm，P型In0.08Al0.12Ga0.8N层的厚度为4nm、P型In0.06Al0.14Ga0.8N层的厚度为5nm、P型In0.04Al0.16Ga0.8N层的厚度为6nm，P型Al0.2Ga0.8N厚度为25nm。

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