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申请/专利权人：西安电子科技大学杭州研究院
摘要：本发明公开了一种基于铁电掺杂的互补场效应晶体管，主要解决现有互补场效应晶体管随着器件尺寸的不断减少，产生的掺杂浓度梯度降低、随机掺杂波动大、温度升高的问题。其自下而上包括：衬底1、底沟道层2、材料层3、顶沟道层4、两个沟道层上均设有源极和漏极，源漏之间为栅极，其中材料层，使用铁电材料，以提供极化电荷；两个沟道层的栅极相互连接形成环形结构，以增强栅极控制能力。本发明兼有互补场效应晶体管以及铁电掺杂的优势，可在不影响互补场效应晶体管逻辑功能的前提下，有效提高掺杂精度、掺杂均匀性及掺杂浓度，具有可重构性及非易失性，可用于制作大规模集成电路。
主权项：1.一种基于铁电掺杂的互补场效应晶体管，自下而上包括：衬底（1）、底沟道层（2）、材料层（3）、顶沟道层（4）、两个沟道层上均设有源极和漏极，源漏之间为栅极，特征在于：所述材料层（3），使用铁电材料，以提供极化电荷；所述底沟道层（2）和顶沟道层（4）的栅极相互连接形成环形一体化结构，以增强栅极控制能力。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学杭州研究院 基于铁电掺杂的互补场效应晶体管及其制作方法
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