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申请/专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要：本发明提供一种重掺单晶引晶放肩的拉晶方法，属于单晶炉提拉法生长单晶技术领域，在引晶时根据第一预定引晶直径、第一预定引晶温度曲线、第一预定拉速曲线进行引晶，使得引晶直径、拉速、温度相互匹配，使得引晶质量提高，进而引放次数降低，引晶结束后，根据预设的不同放肩高度的放肩肩型夹角的角度设定值得到放肩直径D；根据放肩直径D、第二预定放肩功率曲线、第二预定拉速曲线、第二预定拉速上限曲线、第二预定拉速曲线下限曲线进行放肩，以在不同阶段拉制不同放肩肩型夹角的肩型，使得引晶带来的温度差被消弭且放肩过程以预定的生长状态生长，使得单晶结构不被破坏，使得引晶、放肩过程中NG率显著降低。
主权项：1.一种重掺单晶引晶放肩的拉晶方法，其特征在于，包括以下步骤S1：根据第一预定引晶直径、第一预定引晶温度曲线、第一预定拉速曲线进行引晶，以提高引晶质量；所述S1步骤中：自引晶第一预定距离后，第一预定引晶直径为5~7mm；所述第一预定引晶温度曲线自引晶第二预定距离后持续下降，且所述第二预定距离的温度值与引晶结束的温度值差值位于第一预定范围内；所述第一预定拉速曲线波动位于第二预定范围内至少第三预定距离，第三预定距离指引晶结束前的连续长度；所述第一预定距离为90mm~100mm，所述第二预定距离为48mm~52mm，所述第一预定范围为-4℃~-6℃，所述第二预定范围为2mmmin~6mmmin，所述第三预定距离为148mm~150mm；S2：根据预设的不同放肩高度的放肩肩型夹角的角度设定值得到放肩直径D；S3：根据放肩直径D、第二预定放肩功率曲线、第二预定拉速曲线、第二预定拉速上限曲线、第二预定拉速曲线下限曲线进行放肩，进而降低引放次数；S4：放肩结束后进行转肩、等径、收尾拉制，以得到放肩肩型为对称的阶梯状的晶棒。
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权利要求：
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