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申请/专利权人：析氢新能源科技发展(山东)有限公司
摘要：本发明为一种具有高效析氢催化性能的合金单晶的制备方法和应用。该方法通过提拉法制备CoSi单晶，制备过程包括多晶前驱体的制备、引晶、缩颈、放肩和等径生长等工艺步骤，通过控制不同步骤中籽晶杆的提拉速度与旋转速率，制备出具有高效析氢催化性能高质量的CoSi合金单晶材料。本发明制备出的CoSi单晶纯度更高，具有更好的产氢效率与经济效益。
主权项：1.一种具有高效析氢催化性能的合金单晶的制备方法，其特征为包括以下步骤：（1）该材料的元素化学式为CoxSiy，0.9≤x≤1.1,0.9≤y≤1.1该式中的下标符号x、y表示限定元素在元素间的摩尔配比数；按照化学式的物料配比称量Co单质和Si单质；然后在电弧炉中将称量好的材料熔炼成多晶前驱体；（2）将制备好的CoSi多晶放入坩埚中，然后将坩埚放入晶体生长炉内，随后抽真空至真空度为1.0×10-1Pa~1.0×10-3Pa；（3）升温至1200-1400℃，保温1~24h，至多晶前驱体完全熔化；（4）将籽晶固定在旋转的籽晶杆上，然后下降至距液面5~12mm处暂停3~10s，接着将籽晶浸入熔液，随后籽晶以1~10mmh的速率上升完成引晶过程；（5）引晶完成后，籽晶以5~40rmin的旋转速率，10～40mmh的速率向上提拉，直至晶体生长至1-5mm后完成缩颈过程；（6）此时减慢提拉速度开始放肩过程：以3～30mmh的速率上升提拉杆，籽晶杆以5～35rmin的速率旋转；（7）当生长的单晶直径达到5~20mm后进入等径生长阶段，该阶段晶体提拉速率为5～35mmh，籽晶杆旋转速率为5～35rmin；（8）当晶体长度生长到5~50mm后，提高提拉速度使晶体和熔体之间断开，完成晶体生长阶段；（9）最后让晶体生长炉降温至室温，得到的单晶。
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权利要求：
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