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申请/专利权人：浙江求是创芯半导体设备有限公司
摘要：本实用新型涉及晶圆生产技术领域，具体公开了一种双层进气外延腔室，该双层进气外延腔室包括反应腔体、基座和分隔组件，其中，反应腔体内具有反应腔室，反应腔体具有连通反应腔室的进气口与排气口，基座可转动地设置在反应腔室中，基座的上表面用于装载衬底；分隔组件设于反应腔室内，且将基座至排气口之间的反应腔室分隔为上下排布的尾工艺腔和尾吹扫腔，分隔组件包括隔板，隔板包括板本体以及设于板本体下侧的阻挡件，阻挡件引导尾吹扫腔中的气流向上流动并与尾工艺腔中的气流汇聚后流至排气口。上述设置，使得气流经过尾吹扫腔后进入尾工艺腔，减少堆积产生沉积物，助于提高镀膜良品率。
主权项：1.一种双层进气外延腔室，其特征在于，包括：反应腔体100，所述反应腔体100的内部具有反应腔室，所述反应腔体100具有连通所述反应腔室的进气口110与排气口120；基座200，所述基座200可转动地设置在所述反应腔室中，所述基座200的上表面用于装载衬底；分隔组件300，所述分隔组件300设于所述反应腔室内，且将所述基座200至所述排气口120之间的所述反应腔室分隔为上下排布的尾工艺腔和尾吹扫腔，所述分隔组件300包括隔板，所述隔板包括板本体310以及设于所述板本体310下侧的阻挡件320，所述阻挡件320引导所述尾吹扫腔中的气流向上流动并与所述尾工艺腔中的气流汇聚后流至所述排气口120。
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百度查询： 浙江求是创芯半导体设备有限公司 双层进气外延腔室
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