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块随机存取存储器控制方法、块随机存取存储器 

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申请/专利权人:中科芯磁科技(珠海)有限责任公司

摘要:本发明公开了块随机存取存储器控制方法、块随机存取存储器,属于芯片的技术领域,通过获取块随机存取存储器的工作路径类型,基于所述工作路径类型确定工作模式;基于所述工作模式,确定所述块随机存取存储器的多个背偏置电压配置位分别对应的多个目标值;基于多个目标值对多个背偏置电压配置位进行赋值,确定配置信息,其中,所述配置信息用于确定所述块随机存取存储器中控制电路和主存储阵列的背偏置电压值;基于所述背偏置电压值对所述块随机存取存储器进行控制;能够实现块随机存取存储器降低功耗或者提高性能。

主权项:1.一种块随机存取存储器控制方法,其特征在于,包括:获取块随机存取存储器的工作路径类型,基于所述工作路径类型确定工作模式;基于所述工作模式,确定所述块随机存取存储器的多个背偏置电压配置位分别对应的多个目标值;基于多个目标值对多个背偏置电压配置位进行赋值,确定配置信息,其中,所述配置信息用于确定所述块随机存取存储器中控制电路和主存储阵列的背偏置电压值;基于所述背偏置电压值对所述块随机存取存储器进行控制;其中,所述多个背偏置电压配置位预先存储在所述块随机存取存储器中的配置单元阵列中,所述多个背偏置电压配置位包括P型晶体管配置位和N型晶体管配置位;所述P型晶体管配置位和N型晶体管配置位是通过如下方法确定:获取配置单元阵列中由字线和位线确定的全部配置位;获取控制电路和主存储阵列分别对应的已用配置位;根据所述全部配置位和所述已用配置位,确定可用配置位;根据预先获取的配置位需求,在所述可用配置位中确定所述P型晶体管配置位和所述N型晶体管配置位。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中科芯磁科技(珠海)有限责任公司 块随机存取存储器控制方法、块随机存取存储器

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