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申请/专利权人：深圳市矩阵多元科技有限公司
摘要：本发明属于集成电路技术领域，提供了一种基于合金层的提高种子层附着力的方法。本发明先将的基板完成开通孔，然后进行离子注入，使金属离子被注入到基板表面和通孔侧壁，形成合金层，然后依次沉积屏障层、沉积种子层、制作电镀光阻层、沉积电镀Cu、剥离电镀光阻，最后刻蚀去除合金层，避免TGV通孔Cu柱间的信号干扰，由于本发明在基板和屏障层之间增加了合金层，起到缓冲作用，具有一定的导电性，还可以提高屏障层和基板之间以及屏障层和通孔侧壁之间的附着力，避免种子层和深孔侧壁的剥离风险。
主权项：1.一种提高种子层附着力的方法，其特征在于，包括如下步骤：1基板开通孔；2采用离子注入的方式，将金属离子注入至所述基板的表面和所述通孔的侧壁，形成合金层；3在所述合金层表面沉积屏障层；4在所述屏障层表面沉积种子层；5在所述基板上制作电镀光阻层；6在所述电镀光阻层表面沉积电镀Cu，形成Cu柱；7剥离所述电镀光阻层，得到含种子层的基板；8将所述含种子层的基板进行刻蚀，至所述电镀光阻层原本所在位置的种子层被刻蚀完全，即结束刻蚀。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市矩阵多元科技有限公司 一种基于合金层的提高种子层附着力的方法
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