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申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司
摘要：本申请公开了一种金属氧化物TFT及制造方法、x射线探测器和显示面板，属于电子技术领域。所述方法包括：在衬底基板上形成金属氧化物半导体材质的有源层以及层叠在有源层上的包括镧系金属元素的功能层后，对有源层以及功能层进行退火处理，功能层中的镧系金属元素扩散至有源层；扩散至有源层中的镧系金属元素可以在有源层中形成陷阱态，有源层受到光照产生的光生电子，可以被该陷阱态捕获，从而改善有源层的光照稳定性。解决了相关技术中金属氧化物TFT的有源层的光稳定性较差的问题，实现了提升金属氧化物TFT中有源层的光稳定性的效果。
主权项：1.一种金属氧化物TFT，其特征在于，所述金属氧化物TFT包括：位于衬底基板上的栅极、源极、漏极和有源层；所述有源层位于所述栅极和所述源极或漏极之间；所述有源层包括沟道层，所述沟道层为第一金属氧化物半导体层；所述第一金属氧化物半导体层包括铟、镓、锌、锡、铝、钨、锆、铪、硅中的一种或多种；所述沟道层中的上表面上以及距离该上表面一定厚度的位置含有镧系金属掺杂材料；所述镧系金属含量随着远离所述沟道层中的上表面的距离增大呈减小的趋势；所述有源层的沟道层与所述源极之间设置有金属层，所述金属层包括与所述镧系金属掺杂材料相同的镧系金属元素；所述有源层的沟道层与所述漏极之间设置有金属层，所述金属层包括与所述镧系金属掺杂材料相同的镧系金属元素；所述有源层还包括背沟道保护层，所述沟道层为掺杂有镧系金属的铟镓锡氧化物、所述背沟道保护层位于所述沟道层上，所述背沟道保护层为结晶铟镓锌氧化物、掺杂镧系金属的铟锌氧化物或掺杂镧系金属的铟镓锌氧化物；所述有源层还包括遮光保护层，所述遮光保护层包括掺杂镧系金属的铟锌氧化物或掺杂镧系金属的铟镓锌氧化物，所述遮光保护层位于所述沟道层的远离所述背沟道保护层的另一侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 京东方科技集团股份有限公司 金属氧化物TFT及制造方法、x射线探测器和显示面板
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