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申请/专利权人：西安航天民芯科技有限公司

摘要：本发明属于高速通信技术领域，其目的在于提供一种用于高速高精度ADC的升压开关电路，包括电荷泵升压电路、升压时钟生成电路和电压缓冲电路；其中，所述电荷泵升压电路，用于接收初始时钟信号CLKin，并对所述初始时钟信号CLKin进行升压处理，以便得到时钟控制信号CLK_boost；所述升压时钟生成电路，用于接收初始时钟信号CLKin，并对所述时钟控制信号CLK_boost进行二次升压处理，以便得到目标时钟信号CLK_bst；所述电压缓冲电路，用于接收可修调的偏置电流Ibias，并基于所述偏置电流Ibias为所述电荷泵升压电路和所述升压时钟生成电路输入偏置电压。本发明可以提高高速高精度ADC关键路径上的采样开关线性度与采样率，同时可提高高速高精度ADC电路的可靠性以及寿命。

主权项：1.一种用于ADC的升压开关电路，其特征在于：包括电荷泵升压电路、升压时钟生成电路和电压缓冲电路；其中，所述电荷泵升压电路，用于接收初始时钟信号CLKin，并对所述初始时钟信号CLKin进行升压处理，以便得到时钟控制信号CLK_boost；所述升压时钟生成电路，用于接收初始时钟信号CLKin，并对所述时钟控制信号CLK_boost进行二次升压处理，以便得到目标时钟信号CLK_bst；所述电压缓冲电路，用于接收可修调的偏置电流Ibias，并基于所述偏置电流Ibias为所述电荷泵升压电路和所述升压时钟生成电路输入偏置电压；所述升压时钟生成电路包括第一传输门（TG1）、第二传输门（TG2）、第六电容（C6）、第六N型MOS管（M10）、第七N型MOS管（M11）、第八N型MOS管（M12）、第九N型MOS管（M13）、第十N型MOS管（M14）、第十一N型MOS管（M15）、第五P型MOS管（M16）和第六P型MOS管（M17）；所述第一传输门（TG1）的输入端和所述第二传输门（TG2）的输入端作为所述升压时钟生成电路的输入端接收初始时钟信号CLKin，所述第一传输门（TG1）的控制信号输入端和所述第二传输门（TG2）的控制信号输入端均与所述电荷泵升压电路的输出端连接，所述第一传输门（TG1）的两个控制信号输入端以及所述第二传输门（TG2）的两个控制信号输入端从所述电荷泵升压电路接收的时钟控制信号CLK_boost均分别为CLK1信号和CLK2信号，且CLK1信号和CLK2信号互补且不交叠；所述第二传输门（TG2）的输出端分别与所述第六电容（C6）的上极板和所述第六N型MOS管（M10）的源极连接，所述第六N型MOS管（M10）的漏极与所述电压缓冲电路的VS1输出端连接，所述第六电容（C6）的下极板分别与所述第七N型MOS管（M11）的源极和所述第六P型MOS管（M17）的源极连接，所述第六N型MOS管（M10）的栅极和所述第七N型MOS管（M11）的栅极均接收CLK2信号，所述第七N型MOS管（M11）的漏极与所述电压缓冲电路的VS2输出端连接，所述第一传输门（TG1）的输出端分别与所述第五P型MOS管（M16）的漏极和所述第六P型MOS管（M17）的栅极连接，所述第五P型MOS管（M16）的栅极接收CLK1信号，所述第五P型MOS管（M16）的漏极与所述电压缓冲电路的VS2输出端连接，所述第六P型MOS管（M17）的漏极分别与所述第九N型MOS管（M13）的源极和所述第十N型MOS管（M14）的漏极连接，且所述第六P型MOS管（M17）、所述第九N型MOS管（M13）和所述第十N型MOS管（M14）的结合点作为所述升压时钟生成电路的输出端输出目标时钟信号CLK_bst，所述第九N型MOS管（M13）的栅极和所述第十N型MOS管（M14）的栅极均接收预设的常高电平，所述第九N型MOS管（M13）的漏极与所述第八N型MOS管（M12）的源极连接，所述第八N型MOS管（M12）的漏极与所述电压缓冲电路的VS3输出端连接，所述第八N型MOS管（M12）的栅极接收CLK2信号，所述第十N型MOS管（M14）的源极与所述第十一N型MOS管（M15）的漏极连接，所述第十一N型MOS管（M15）的源极接地，所述第十一N型MOS管（M15）的栅极接收预设的PWD外界控制信号。

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