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申请/专利权人:中天科技精密材料有限公司;江苏中天科技股份有限公司;中天科技光纤有限公司
摘要:本发明提供一种耐高压低弯曲损耗的光纤,所述光纤包括芯层、内包层、下陷层及外包层,所述芯层掺有SiO2和GeO2,所述芯层的半径由所述芯层中心向外延伸距离R1形成,所述芯层的折射率为n1,所述内包层的宽度为所述芯层边缘R1处向外延伸R2‑R1的距离,所述内包层的剖面通过掺少量Ge和F形成,所述内包层的折射率为n2,所述下陷层从所述内包层外边缘向外深掺F形成,所述下陷层的宽度和折射率分别为R3‑R2和n3,所述外包层的厚度和折射率分别为Rc‑R3和nc,所述光纤的折射率剖面为阶跃型分布。本发明提供的光纤在11000米深水中仍能使光纤传输性能不受影响。
主权项:1.一种耐高压低弯曲损耗的光纤,其特征在于:所述光纤包括芯层、内包层、下陷层及外包层,所述芯层掺有SiO2和GeO2,所述芯层的半径由所述芯层中心向外延伸距离R1形成,所述芯层的折射率为n1,所述内包层的宽度为所述芯层边缘R1处向外延伸R2-R1的距离,所述内包层的剖面通过掺少量Ge和F形成,所述内包层的折射率为n2,所述下陷层从所述内包层外边缘向外深掺F形成,所述下陷层的宽度和折射率分别为R3-R2和n3,所述外包层的厚度和折射率分别为Rc-R3和nc,所述光纤的折射率剖面为阶跃型分布;所述芯层半径R1设定在2.5μm~4μm之间,所述内包层的宽度R2-R1设定在2.5μm~8μm之间,所述下陷层的宽度R3-R2设定在3μm~10μm之间,所述外包层的半径Rc设定在40μm~125μm之间,所述芯层与所述外包层的折射率差n1-nc在0.01~0.016之间,所述内包层与所述外包层的折射率差n2-nc在-0.003~0.001之间,所述下陷层与所述外包层的折射率差n3-nc在-0.003~-0.01之间,所述芯层与所述下陷层的折射率差满足n1-n3>0.016;所述芯层掺杂GeO2的浓度范围设置在14%-19%之间,所述内包层掺杂GeO2的浓度范围设置在0.8%-2%之间;所述下陷层掺杂物F的浓度范围设置在0.5%-1.5%之间;所述下陷层的宽度设置为大于所述光纤的模场直径的二分之一。
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