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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所;北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司

摘要：本发明涉及一种多阈值堆叠纳米片GAA‑FET器件阵列的制备方法，其中，器件环绕式栅极中的高k介质层的形成过程为：首先界面氧化后沉积覆盖无极性高k介质层，然后沉积覆盖第一类极性高k介质层，进行退火，然后通过刻蚀工艺在部分器件阵列中去除，以便后继形成第一类器件阈值；再沉积覆盖第二类极性高k介质，进行退火，然后再通过刻蚀工艺在部分器件阵列中去除，形成第二类器件阈值，并以此通过不同覆盖区域组合获得更多的器件阈值。本发明在GAA‑FET器件阵列集成制造中通过不同极性叠层高k介质层覆盖来改变界面氧化层中Si‑O极性强度，以此来实现不同器件阈值的制造方法。

主权项：1.一种多阈值堆叠纳米片GAA-FET器件阵列的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：提供衬底；在所述衬底上外延生长由第一半导体第二半导体交替层叠的超晶格叠层；刻蚀所述超晶格叠层，形成多个鳍片；在所述鳍片上形成假栅，并对鳍片进行刻蚀；对所述鳍片上的第一半导体、第二半导体的超晶格叠层进行选择性刻蚀形成纳米片堆栈部，从外向内刻蚀掉部分超晶格叠层中第一半导体形成的纳米片；选择外延生长工艺形成源漏区；介质沉积与平坦化露出假栅；实现纳米片的沟道释放，其中所述纳米片形成的叠层构成为多个导电沟道；形成环绕式栅极，环绕于纳米堆栈部周围；其中，器件环绕式栅极中的高k介质层的形成过程为：首先界面氧化后沉积覆盖无极性高k介质层，然后沉积覆盖第一类极性高k介质层，进行退火，然后通过刻蚀工艺在部分器件阵列中去除，以便后继形成第一类器件阈值；再沉积覆盖第二类极性高k介质，进行退火，然后再通过刻蚀工艺在部分器件阵列中去除，形成第二类器件阈值，并以此通过不同覆盖区域组合获得更多的器件阈值；在NMOS中，第一类极性高k介质为LaOx、MgOx、ScOx、YOx或NdOx的一种或几种的组合，第二类极性高k介质为AlOx、MnOx、ZrOx、TiOx、MoOx的一种或几种的组合；对于PMOS中，第一类极性高k介质为AlOx、MnOx、ZrOx、TiOx或MoOx的一种或几种的组合，第二类极性高k介质为LaOx、MgOx、ScOx、YOx或NdOx的一种或几种的组合。

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