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申请/专利权人：郑州轻工业大学
摘要：本发明公开了一种金属型CuIn,GaSe2材料、制备方法及其应用，属于导电材料技术领域，制备方法包括：将型CuIn1‑xGaxSe2晶体置于高压装置内，进行加压处理，在压力大于或等于8.6GPa的条件下，保持至少20min，即得，制得的金属型材料在常温常压下可以稳定保持其Pna21结构。本发明方法操作简单，制备过程短、不需要任何传压介质，制备时间短、绿色环保、成本低，而且作为电极材料的金属型CuIn0.7Ga0.3Se2可降低黄铜矿太阳能电池的欧姆损耗，提高载流子迁移率，实现能量转换效率的提升。
主权项：1.一种金属型CuIn,GaSe2材料，其特征是，所述CuIn,GaSe2材料中的掺杂比例x为0.2-0.4，其中所述掺杂比例x＝GaGa+In，其中金属型CuIn,GaSe2材料的晶体结构为Pna21结构，且Pna21结构的金属型CuIn,GaSe2材料可于室温下稳定保存。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 郑州轻工业大学 一种金属型Cu(In，Ga)Se2材料、制备方法及其应用
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