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申请/专利权人：无锡市查奥微电子科技有限公司
摘要：本发明申请公开了一种SiC欧姆接触后金属加厚的方法，包括以下步骤：步骤S100：在SiC晶圆正面或背面制作金属层，退火后形成欧姆接触；步骤S200：在金属层上制作保护层；步骤S300：去除至少部分保护层形成剩余保护层；步骤S400：在剩余保护层上制作加厚金属层。本发明申请通过在金属层外设置了保护层，在后续工艺过程中可以保护金属层不受之后的其它工艺过程的影响，而且即使保护层被氧化后，可以使用湿法腐蚀或干法刻蚀掉保护层，保护层被氧化的部分，去除工艺受控性强，稳定性好，也不会影响到后续加厚金属层粘附效果，降低了对SiC器件的电性能的损伤。
主权项：1.一种SiC欧姆接触后金属加厚的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S100：在SiC晶圆正面或背面制作金属层，退火后形成欧姆接触；步骤S200：在金属层上制作保护层；步骤S300：去除至少部分保护层形成剩余保护层；步骤S400：在剩余保护层上制作加厚金属层;其中，所述金属层、剩余保护层、加厚金属层的厚度关系满足：P=P1+P2，1.0≤P≤8.0；P1=λ1（E1×D1E×D4+λ2（E2×D3E×D4；P2=λ3（E1×D1E2×D3；其中，P为总变形量，P1为第一变形量，P2为第二变形量；D1为所述金属层的厚度，E1为所述金属层的线膨胀率，λ1为第一变形调节系数，与所述金属层和所述加厚金属层的线膨胀率有关；D3为所述剩余保护层的厚度，E2为所述剩余保护层的线膨胀率，λ2为第二变形调节系数，与所述剩余保护层和所述加厚金属层的线膨胀率有关；D4为所述加厚金属层的厚度；E为加厚金属层的线膨胀率，λ3为第三变形调节系数，与所述金属层和所述剩余保护层的线膨胀率有关。
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权利要求：
百度查询： 无锡市查奥微电子科技有限公司 一种SiC欧姆接触后金属加厚的方法
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