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申请/专利权人：北京工业大学
摘要：本发明公开了一种顶发射大孔径完全填充相干光VCSEL，包括：自下而上依次设置的顶发射大孔径VCSEL、全填充光相位调控晶体和高反膜；顶发射大孔径VCSEL的顶部形成有正六边形台面，正六边形台面的上表面设有正六边多孔P型金属电极，正六边多孔P型金属电极上设有正六边形出光孔；全填充光相位调控晶体的上表面对应正六边形出光孔的位置刻蚀有形状相同的正六边形空气凹槽。本发明有效解决了顶发射大孔径VCSEL电流注入不均引起的出光面中心无光以及远场光束质量差的问题，同时避免了超模竞争损耗，实现了同相模输出，相较于多激光单元阵列，单个大孔径VCSEL具有更高的稳定性。
主权项：1.一种顶发射大孔径完全填充相干光VCSEL，其特征在于，包括：自下而上依次设置的顶发射大孔径VCSEL、全填充光相位调控晶体和高反膜；所述顶发射大孔径VCSEL的顶部形成有正六边形台面，所述正六边形台面的上表面设有正六边多孔P型金属电极，所述正六边多孔P型金属电极上设有正六边形出光孔；所述全填充光相位调控晶体的下表面键合在所述正六边多孔P型金属电极的上表面上，所述全填充光相位调控晶体的上表面对应所述正六边形出光孔的位置刻蚀有形状相同的正六边形空气凹槽；其中，所述全填充光相位调控晶体的厚度满足所述正六边形出光孔排布方式的Talbot距离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京工业大学 一种顶发射大孔径完全填充相干光VCSEL及制备方法
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