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一种超窄节距nt-Cu/纳米复合Ag基微凸点互连结构及其制备方法 

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申请/专利权人:北京理工大学

摘要:本发明涉及微电子封装技术、微机电系统封装技术以及三维集成技术封装领域,涉及一种晶圆级金属微凸点制备技术,具体是一种超窄节距节距小于50μmnt‑Cu纳米复合Ag基微凸点互连结构及其制备方法。本发明的nt‑Cu纳米复合Ag基微凸点与普通铜凸点相比,应力小,组织均匀、稳定,工艺简单,只需要控制复合凸点的尺寸和微观结构,就可以充分利用纳米孪晶铜的综合力学性能,从而获得具有高强度,高导电性能及高可靠性能的nt‑Cu纳米复合Ag基微凸点互连结构。

主权项:1.一种超窄间距nt-Cu纳米复合Ag基微凸点互连结构,其特征在于:该互连结构包括晶圆基底1、绝缘层2和若干个互联部件,互联部件包括金属焊盘3、介电层4、种子层5、铜柱6和银凸点7;绝缘层2位于晶圆基底1的上表面,若干个互联部件呈阵列形式布置在晶圆基底1表面的绝缘层2上,互联部件中的金属焊盘3置于晶圆基底1表面的绝缘层2上;互联部件之间的绝缘层2上覆盖有介电层4,金属焊盘3的侧面和上表面的外缘部分上覆盖有介电层4,金属焊盘3上表面没有覆盖介电层4的部位溅射有种子层5,位于金属焊盘3上表面外缘部分的介电层4的内侧面和与内侧面紧邻的上表面上也溅射有种子层5;铜柱6位于种子层的上方,银凸点7位于铜柱6的上方;其中,所述的银凸点7为纳米粒子复合Ag层,纳米粒子为Ag、Zn、Sn、Cu中的至少一种,纳米粒子弥散分布于Ag基微凸点中。

全文数据:

权利要求:

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