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申请/专利权人：华北电力大学
摘要：一种高压大容量IGCT性能提升的拓扑结构，具有相同电压等级的IGCT与IGBT并联，所述IGCT的阳极与IGBT的集电极相连，IGCT的阴极与IGBT的发射极相连；同时满足IGBT运行时工作电流的有效值IRMS小于IGBT的额定值Ipeak。本发明提高IGCT工作过程中的可靠性，保护IGCT在开通过程中的高didt下不会损坏，并且提高其关断能力；IGCT与IGBT通过一定的动作时序，相互配合，充分发挥两者的互补优点；可以避免IGCT在某些场合下需要配备的缓冲回路，降低系统的损耗以及成本，提高运行效率；与IGCT并联的IGBT的成本较低，对成本造成的影响很小。
主权项：1.一种高压大容量IGCT性能提升的拓扑结构，其特征为：具有相同电压等级的IGCT与IGBT并联，所述IGCT的阳极与IGBT的集电极相连，IGCT的阴极与IGBT的发射极相连；同时在满足IGBT运行时工作电流的有效值IRMS小于IGBT的额定值Ipeak，即：IRMS＜Ipeak。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华北电力大学 高压大容量IGCT性能提升的拓扑结构及其控制方法
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