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申请/专利权人：汉阳大学校产学协力团
摘要：本发明公开通过提高水平方向的集成度来实现集成度的三维快闪存储器及其制造方法。根据一实施例，三维快闪存储器包括：至少一个通道层，沿着一方向延伸形成；至少一个铁电膜，以包围上述至少一个通道层的方式沿着上述一方向延伸形成，用作数据存储区；多个电极层，以相对于上述至少一个铁电膜垂直连接的方式层叠。
主权项：1.一种三维快闪存储器，其特征在于，包括：至少一个通道层，沿着一方向延伸形成；至少一个铁电膜，以包围上述至少一个通道层的方式沿着上述一方向延伸形成，用作数据存储区；以及多个电极层，以相对于上述至少一个铁电膜垂直连接的方式层叠；其中，上述至少一个铁电膜通过与上述多个电极层相接触的多个区域来实现多个存储单元，上述至少一个铁电膜满足如下条件，即，使得上述至少一个通道层的接通电压小于各个上述存储单元的工作电压并大于编程各个上述存储单元时的门槛电压，其中，上述至少一个铁电膜通过调节厚度来满足上述条件，并且其中，上述至少一个铁电膜由铁电材料形成来满足上述条件；当以高门槛电压将第一状态编程到所述多个存储单元时，所述三维快闪存储器将用于满足所述条件的工作电压施加到所述多个电极层，并且将0V或适当基准电压施加到所述至少一个通道层；并且当以低门槛电压将第二状态编程到所述多个存储器单元时，所述三维快闪存储器将满足条件的工作电压施加到所述至少一个通道层，并且将0V或所述适当基准电压施加到所述多个电极层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 汉阳大学校产学协力团 基于铁电材料的三维快闪存储器及其制造
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