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申请/专利权人：百代(上海)数据技术有限公司
摘要：本发明涉及到三维闪存中信号跨层交互的方法以及相应的存储器。三维闪存任一堆叠层中的第一存储单元的第一电源线和相异堆叠层中的第二存储单元的第二电源线之间设置负载。将负载的电压感测值和第一存储单元的输出端口的输出信号进行比较而产生用于驱动可控硅器件的驱动信号。第一和第二存储单元因工作状态不同而导致第一和第二电源线的电压差异超过规范值时，引导可控硅器件予以导通从而抑制第一存储单元的输出信号在跨层交互期间对第二存储单元的输入端口的电压或电流冲击。反之，当第一和第二电源线的电压差异低于规范值时，禁止可控硅器件导通。
主权项：1.一种三维闪存中信号跨层交互的方法，其特征在于，包括：在三维闪存的任一堆叠层中的第一存储单元的第一电源线和三维闪存的其它的相异堆叠层中的第二存储单元的第二电源线之间设置负载；将负载两端的电压感测值和第一存储单元的输出端口的输出信号进行比较，产生一个驱动信号，用于驱动一个基于晶体管触发的可控硅器件；将可控硅器件连在第二存储单元的输入端口和第二存储单元的参考地之间，利用所述驱动信号来操作用于触发可控硅器件的配套的晶体管的接通与否；当第一和第二存储单元两者因工作状态不同而导致第一和第二电源线的电压差异超过规范值时，引导可控硅器件予以导通从而抑制第一存储单元的输出信号在跨层交互期间对第二存储单元的输入端口的电压或电流冲击；反之，当第一和第二电源线的电压差异低于规范值时，禁止可控硅器件导通。
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