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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了集成电路器件及其形成方法。该集成电路器件包括：在基板上的上晶体管结构，上晶体管结构包括在第一水平方向上彼此间隔开的一对上源极漏极区和在所述一对上源极漏极区之间的上栅电极；在基板和上晶体管结构之间的下晶体管结构，下晶体管结构包括下栅电极；在下晶体管结构上的上绝缘层，其中，上栅电极在上绝缘层中；以及延伸穿过上绝缘层并接触下栅电极的下栅极接触，上栅电极在第二水平方向上的中心和下栅电极在第二水平方向上的中心在第二水平方向上彼此偏移，第二水平方向垂直于第一水平方向。
主权项：1.一种集成电路器件，包括：在基板上的上晶体管结构，所述上晶体管结构包括在第一水平方向上彼此间隔开的一对上源极漏极区和在所述一对上源极漏极区之间的上栅电极；在所述基板和所述上晶体管结构之间的下晶体管结构，所述下晶体管结构包括下栅电极；在所述下晶体管结构上的上绝缘层，其中，所述上栅电极在所述上绝缘层中；以及延伸穿过所述上绝缘层并且接触所述下栅电极的下栅极接触，其中，所述上栅电极在第二水平方向上的中心和所述下栅电极在所述第二水平方向上的中心在所述第二水平方向上彼此偏移，以及所述第二水平方向垂直于所述第一水平方向。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 集成电路器件及其形成方法
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