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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院
摘要：本申请涉及一种半导体结构、存储器、电子设备、存储电路及读写方法，半导体结构包括沿第一方向依次叠置的第一有源柱和第二有源柱，以及沿第一方向依次叠置的第一栅导电层和第二栅导电层；第一有源柱和第二有源柱均沿第二方向延伸；第一栅导电层周向环绕第一有源柱的部分侧壁；第二栅导电层周向环绕第二有源柱的部分侧壁；其中，第一有源柱和第一栅导电层用于构成第一晶体管，第二有源柱和第二栅导电层用于构成第二晶体管；第一方向与第二方向相交。上述半导体结构在提高器件集成度的同时，还能减小漏电流、提升写入速度，并且降低存储器的控制技术复杂度、提高效率、减少刷新时间，进而提高器件的整体性能。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括沿第一方向依次叠置的第一有源柱和第二有源柱，以及沿所述第一方向依次叠置的第一栅导电层和第二栅导电层；所述第一有源柱和所述第二有源柱均沿第二方向延伸；所述第一栅导电层周向环绕所述第一有源柱的部分侧壁；所述第二栅导电层周向环绕所述第二有源柱的部分侧壁；其中，所述第一有源柱和所述第一栅导电层用于构成第一晶体管，所述第二有源柱和所述第二栅导电层用于构成第二晶体管；所述第一方向与所述第二方向相交。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京超弦存储器研究院 半导体结构、存储器、电子设备、存储电路及读写方法
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