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申请/专利权人：美光科技公司
摘要：本公开涉及一种半导体装置及其形成方法。一种设备包含：半导体衬底，其具有第一区、第二区及第三区；第一布线，其在所述半导体衬底的所述第一区上方；第二布线，其在所述半导体衬底的所述第二区上方；第三布线，其在所述半导体衬底的所述第三区上方；以及第一绝缘膜，其在所述第一布线、所述第二布线及所述第三布线中的每一者上。所述第一布线的上表面的高度低于所述第二布线的上表面的高度；其中，所述第二布线的上表面的所述高度低于所述第三布线的上表面的高度。安置在所述第一布线、所述第二布线及所述第三布线上方的所述第一绝缘膜的每一部分具有相等的膜厚度。
主权项：1.一种设备，其包括：半导体衬底，其具有第一区、第二区及第三区；第一布线，其在所述半导体衬底的所述第一区上方；第二布线，其在所述半导体衬底的所述第二区上方；第三布线，其在所述半导体衬底的所述第三区上方；及第一绝缘膜，其在所述第一布线、所述第二布线及所述第三布线中的每一者上；其中所述第一布线的上表面的高度低于所述第二布线的上表面的高度；其中所述第二布线的所述上表面的高度低于所述第三布线的上表面的高度；及其中安置在所述第一布线、所述第二布线及所述第三布线上方的所述第一绝缘膜的每一部分具有相等的膜厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 半导体装置及其形成方法
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