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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：本发明提供一种半导体器件及形成方法，包括：提供基板，所述基板包括多个区域；提供掩膜层，位于所述基板上，所述掩膜层内形成多个图形结构，每一图形结构包括位于所述多个区域中的两个区域的通孔结构；所述多个图形结构两两重合形成重合区域，所述重合区域有一个重合的通孔结构。本发明的技术方案能够提高图形质量和图形化位置的准确性，进而改善半导体器件的性能。
主权项：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基板，所述基板包括多个区域；在所述基板上形成牺牲层；在所述基板上形成图形传递层，所述图形传递层形成于所述牺牲层上；提供掩膜层，位于所述基板上，在所述图形传递层上形成所述掩膜层，在所述掩膜层内依次形成多个图形结构，每一图形结构包括位于所述多个区域中的两个区域的通孔结构，其中多个为三个或者三个以上；所述多个图形结构两两重合分别形成重合区域，每个所述重合区域有一个重合的所述通孔结构。
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权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体器件及形成方法
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