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申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要:本发明提供一种半导体器件及形成方法,包括:提供基板,所述基板包括多个区域;提供掩膜层,位于所述基板上,所述掩膜层内形成多个图形结构,每一图形结构包括位于所述多个区域中的两个区域的通孔结构;所述多个图形结构两两重合形成重合区域,所述重合区域有一个重合的通孔结构。本发明的技术方案能够提高图形质量和图形化位置的准确性,进而改善半导体器件的性能。
主权项:1.一种半导体器件的形成方法,其特征在于,包括:提供基板,所述基板包括多个区域;在所述基板上形成牺牲层;在所述基板上形成图形传递层,所述图形传递层形成于所述牺牲层上;提供掩膜层,位于所述基板上,在所述图形传递层上形成所述掩膜层,在所述掩膜层内依次形成多个图形结构,每一图形结构包括位于所述多个区域中的两个区域的通孔结构,其中多个为三个或者三个以上;所述多个图形结构两两重合分别形成重合区域,每个所述重合区域有一个重合的所述通孔结构。
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百度查询: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体器件及形成方法
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