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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件包括：基底；栅极结构，位于基底上；源漏掺杂层，位于栅极结构两侧的基底内；导电层，位于源漏掺杂层上；第一硬掩膜层，位于栅极结构的顶部；第二硬掩膜层，位于导电层的顶部表面，第二硬掩膜层的顶部表面高于第一硬掩膜层的顶部表面，且第二硬掩膜层与第一硬掩膜层部分重叠，后续形成第一互联层和第二互联层的过程中可以避免第二互联层与栅极结构之间的桥接和短路以及第一互联层与导电层之间的短接问题，从而使得形成的半导体器件的电学性能和稳定性得到提高。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：基底；栅极结构，位于所述基底上；源漏掺杂层，位于所述栅极结构两侧的所述基底内；第一开口，暴露出所述源漏掺杂层的顶部表面；导电层，位于所述源漏掺杂层上且位于部分所述第一开口内；第一硬掩膜层，位于所述栅极结构的顶部，所述导电层的顶部表面低于所述第一硬掩膜层的顶部表面；第二硬掩膜层，位于所述导电层的顶部表面且所述第二硬掩膜层填充满剩余的所述第一开口，所述第二硬掩膜层的顶部表面高于所述第一硬掩膜层的顶部表面，且所述第二硬掩膜层与所述第一硬掩膜层部分重叠。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体器件及其形成方法
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