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申请/专利权人：承德晶浪材料科技有限责任公司
摘要：本申请涉及一种MPCVD腔合成后表面杂质清理装置，其包括该装置设置于MPCVD设备上，MPCVD设备包括机体，在所述机体上设置有用于反应降温的铜台，在所述机体上设置有用于密封铜台的机盖，所述机盖可扣合在机体上，所述机盖与机体之间形成密闭的反应腔，所述铜台位于反应腔中，在所述铜台上进行金刚石的生产，其特征在于：包括设置在机体上的转台，所述转台上固接有支撑件，所述支撑件上安装有安装座，所述安装座上设置有用于清理铜台的清理组件一，所述安装座上还设置有用于清理机盖的清理组件二。本申请具有提升对残渣清扫处理的便捷性的效果。
主权项：1.一种MPCVD腔合成后表面杂质清理装置，该装置设置于MPCVD设备上，所述MPCVD设备包括机体1，在所述机体1上设置有用于反应降温的铜台2，在所述机体1上设置有用于密封铜台2的机盖3，所述机盖3可扣合在机体1上，所述机盖3与机体1之间形成密闭的反应腔，所述铜台2位于反应腔中，在所述铜台2上进行金刚石的生产，其特征在于：包括设置在机体1上的转台4，所述转台4上固接有支撑件，所述支撑件上安装有安装座720，所述安装座720上设置有用于清理铜台2的清理组件一71，所述安装座720上还设置有用于清理机盖3的清理组件二72。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 承德晶浪材料科技有限责任公司 一种MPCVD腔合成后表面杂质清理装置
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