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申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
摘要：本发明涉及邻近光子芯片中的腔体的参考标记，提供包括邻近边缘耦合器的腔体的结构以及形成此类结构的方法。该结构包括包括具有侧壁的腔体的半导体衬底、位于该半导体衬底上的介电层、以及位于该介电层上的边缘耦合器。该结构还包括填充区，该填充区包括邻近该边缘耦合器的多个填充特征。该填充区包括由该多个填充特征至少部分围绕的参考标记，且该参考标记具有围绕该介电层的表面区域的周边，且该表面区域与该腔体的该侧壁的部分重叠。
主权项：1.一种结构，其特征在于，包括：半导体衬底，包括具有第一侧壁的腔体；第一介电层，位于该半导体衬底上；边缘耦合器，位于该第一介电层上；以及填充区，包括邻近该边缘耦合器的多个填充特征，该填充区包括由该多个填充特征部分围绕的第一参考标记，该第一参考标记具有围绕该第一介电层的第一表面区域的周边，且该第一表面区域与该腔体的该第一侧壁的部分重叠。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 邻近光子芯片中的腔体的参考标记
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