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申请/专利权人：艾克斯特朗欧洲公司
摘要：本发明涉及一种用于运行CVD反应器的方法，其中，在过程室2中在一个或多个衬底上沉积一个或多个层之后，通过清洁气体清洁过程室2的一个或多个表面以去掉其上附着的沉积物，其中，清洁气体与载气一起通过清洁气体入口3输入过程室2中，其流过被置于第一高温T1的过程室2、在此与沉积物发生化学反应生成气态的反应产物并且反应产物由载气作为废气通过气体出口5在低于所述第一高温T1的第一低温T2下输送到气体清洁设备6、7，其中，气体清洁设备6,7具有预处理设备7，在预处理设备7中反应产物在高于所述第一低温T2的第二高温T3下预处理，并且其中，预处理过的反应产物输送到冷却井6，在冷却井中反应产物在低于所述第二高温T3的第二低温T4下冷凝。为了提高气体清洁的效率，建议将冷却到最高160℃的废气在预处理设备7中用气体加热设备8总体加热到更高的优选200℃的温度，以便在之前冷却中形成的附聚物再次分解。
主权项：1.一种用于运行CVD反应器1的方法，其中，在过程室2中在一个或多个衬底上沉积一个或多个层之后，通过清洁气体清洁过程室2的一个或多个表面以去掉其上附着的沉积物，其中，清洁气体与载气一起通过入口3输入过程室2中，其流过被置于第一高温T1的过程室2、在此与沉积物发生化学反应以生成气态的反应产物并且反应产物由载气作为废气通过气体出口5在低于所述第一高温T1的第一低温T2下输送到气体清洁设备6、7，其中，气体清洁设备6、7具有预处理设备7，在预处理设备7中反应产物在高于所述第一低温T2的第二高温T3下预处理，并且其中，预处理过的反应产物输送到冷却井6，在冷却井中反应产物在低于所述第二高温T3的第二低温T4下冷凝，其特征在于，第一低温T2最大为160℃并且第二高温T3最小为140℃，和或在引入清洁气体之前，在过程步骤中在位于基座17上的衬底上沉积一个或多个层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 艾克斯特朗欧洲公司 CVD装置以及用于清洁CVD装置过程室的方法
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