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申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
摘要：本发明公开了一种氧化物层中深孔铝的填充方法，包括：在氧化层的上表面、深孔的孔壁及深孔的底部沉积金属钛和氮化钛，形成粘附层；在粘附层上沉积金属钨，形成阻挡层；在阻挡层上沉积金属铝，形成铝薄膜；在铝薄膜上以预设温度沉积金属铝至完全填充深孔；在粘附层沉积金属钨作为阻挡层，可以在相对较薄的厚度下，提高对热铝扩散的阻碍作用，同时金属钨的电阻率较氮化钛低，对铝的电学性能影响较小。
主权项：1.一种氧化物层中深孔铝的填充方法，其特征在于，包括：在所述氧化物层的上表面、所述深孔的孔壁及所述深孔的底部沉积金属钛和氮化钛，形成粘附层；在所述粘附层上沉积金属钨，形成阻挡层；在所述阻挡层上沉积金属铝，形成铝薄膜；在所述铝薄膜上以预设温度沉积金属铝至完全填充所述深孔；所述填充方法还包括：在形成所述阻挡层之后，在所述阻挡层上沉积金属钛，形成润滑层；其中，所述粘附层包括厚度为600Å~700Å的金属钛层和厚度为600Å~700Å的氮化钛层，所述阻挡层的厚度为600Å~800Å，所述润滑层的厚度为600Å~700Å。
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百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 氧化物层中深孔铝的填充方法
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