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申请/专利权人：宁夏大学
摘要：本发明提供了一种晶硅切割废料中高纯硅的回收方法，包括在晶硅切割废料粉末中混入少量碳酸盐和粘结剂，得到晶硅切割废料粉体、碳酸盐、粘结剂的均匀混合物；混合物压制成坯体后去除粘结剂、进行SPS处理，利用碳酸盐消解晶硅切割废料SiO2包覆层；同时，碳酸盐分解形成的CO2微气泡冲击SiO2包覆层，起到加速消解的作用；提高烧结炉功率，将样品进一步熔融。冷却后，石墨坩埚上部为含有晶硅切割废料SiO2包覆层的氧化物层，石墨坩埚下部即为回收得到的高纯Si层。本发明中，CO2微气泡的冲击作用加速了晶硅切割废料SiO2包覆层的消解，可以显著提高硅的回收率。
主权项：1.一种晶硅切割废料中高纯硅的回收方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，在晶硅切割废料粉末中混入少量碳酸盐和蒸馏水，得到晶硅切割废料粉体、碳酸盐、粘结剂的均匀混合物；S2，将晶硅切割废料粉体、碳酸盐粉体、粘结剂的混合物压制成坯体后进行真空干燥去除坯体中的粘结剂、随后在石墨坩埚中进行放电等离子烧结；S3，提高放电等离子烧结炉功率，将S2的样品熔融，石墨坩埚下部回收得到的高纯Si层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宁夏大学 一种晶硅切割废料中高纯硅的回收方法
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