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申请/专利权人：河北工业大学
摘要：本发明为一种钐钴基薄带与热等静压磁体及其制备方法。该薄带与磁体的元素组成式为SmxCo100‑x‑a‑b‑c‑d‑e‑fCuaSnbFecNidAleTif，该式中的下标符号x、a、b、c、d、e和f表示限定元素组成范围的原子百分数，限定元素组成范围的符号满足：x＝9.7～17.6，a＝6.8～12.4，b＝0.7～1.2，c＝5.52～38.5，d＝0.97～6.8，e＝0.43～2.9，f＝0.08～0.6，34.0≤100‑x‑a‑b‑c‑d‑e‑f≤61.8；本发明克服了现有类似产品存在的钐钴各向异性磁体用快淬薄带原料各向异性弱、需要球磨破碎及非晶化、球磨粉末易氧化、制备流程长、热压热变形控制难等缺陷；明显简化了工艺流程，降低了生产成本，提高了产品的工艺可行性和市场竞争力。
主权项：1.一种钐钴基薄带，其特征为该材料组成式为SmxCo100-x-a-b-c-d-e-fCuaSnbFecNidAleTif，该式中的下标符号x、a、b、c、d、e和f表示限定元素组成范围的原子百分数，限定元素组成范围的符号满足：x＝9.7～17.6，a＝6.8～12.4，b＝0.7～1.2，c＝5.52～38.5，d＝0.97～6.8，e＝0.43～2.9，f＝0.08～0.6，34.0≤100-x-a-b-c-d-e-f≤61.8；所述钐钴基薄带的厚度为20～58μm，在室温与90kOe磁场下，其内禀矫顽力为11.7～16.2kOe，剩磁为48.0～123.2emug，最大磁化强度为54.7～146.2emug，最大磁能积为7.4～43.5MGOe；薄带的各向异性用X射线衍射图中SmCo5相的002峰与111峰的衍射强度比I002I111及Sm5Co19相的0024峰与1112峰的衍射强度比I002I1112定量表征分别为I002I111＝0.56～0.98，I0024I1112＝0.70～0.92。
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