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申请/专利权人：安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
摘要：本发明涉及晶体合成技术领域，公开了一种铌酸锂单晶薄膜的制备工艺，包括以下步骤：S1、于切割模具表面开设容纳槽；S2、将铌酸锂单晶切割成薄片，然后将铌酸锂薄片置于切割模具的容纳槽中，填充缓冲材料，机械研磨减薄铌酸锂薄片；S3、衬底表面沉积SiO2层并抛光，将铌酸锂薄片与衬底键合，热处理形成共价连接；S4、溶剂溶解缓冲材料后移除切割模具，然后采用化学抛光的方式对铌酸锂薄片进一步减薄，得到所述铌酸锂单晶薄膜。本发明通过带容纳槽的切割模具固定铌酸锂单晶薄片，并在缝隙处填充缓冲材料，降低了铌酸锂单晶在机械研磨时的裂片风险，同时铌酸锂单晶薄片与切割模具为非永久固定，方便移除。
主权项：1.一种铌酸锂单晶薄膜的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、通过研磨和蚀刻的方式于切割模具表面开设容纳槽，容纳槽的边缘呈斜坡状；S2、将铌酸锂单晶切割成厚度为200~400μm的薄片，然后将铌酸锂薄片置于切割模具的容纳槽中，然后在铌酸锂薄片和容纳槽之间的间隙填充缓冲材料，再通过机械研磨铌酸锂薄片使其减薄至100μm以下，最后抛光至表面粗糙度≤0.5nm；S3、将衬底表面抛光至粗糙度≤0.5nm，然后在衬底表面沉积SiO2层，再将SiO2层表面抛光至粗糙度≤0.5nm，最后将减薄后的铌酸锂薄片与衬底键合，并通过热处理使铌酸锂与SiO2层形成共价连接；S4、通过溶剂溶解缓冲材料，移除切割模具，然后采用化学抛光的方式对铌酸锂薄片进一步减薄至厚度80~200nm，得到所述铌酸锂单晶薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司 一种铌酸锂单晶薄膜的制备工艺
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