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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种AlGaInP基LED芯片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。其中，AlGaInP基LED芯片包括衬底，依次设于所述衬底上的键合层、透明导电层、外延层、N电极和P电极；所述外延层包括依次层叠于所述透明导电层上的P型窗口层、P型层、有源层、N型层和N型接触层；其中，N电极设于所述N型接触层上，所述外延层上设有刻蚀至所述P型窗口层的孔洞，所述P电极通过所述孔洞与所述P型窗口层连接；所述透明导电层的电阻率小于所述P型窗口层的电阻率，所述P型窗口层的厚度≤8μm。实施本发明，可提升电流分布的均匀性和光效。
主权项：1.一种AlGaInP基LED芯片，其特征在于，包括衬底，依次设于所述衬底上的键合层、透明导电层、外延层、N电极和P电极；所述外延层包括依次层叠于所述透明导电层上的P型窗口层、P型层、有源层、N型层和N型接触层；其中，N电极设于所述N型接触层上，所述外延层上设有刻蚀至所述P型窗口层的孔洞，所述P电极通过所述孔洞与所述P型窗口层连接；所述透明导电层的电阻率小于所述P型窗口层的电阻率，所述P型窗口层的厚度≤8μm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 AlGaInP基LED芯片及其制备方法
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