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申请/专利权人：铠侠股份有限公司
摘要：本发明的实施方式提供一种能减少贴合不良的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包含：第1芯片10，包含于第1方向隔开积层多个第1配线层WL、于第1方向延伸并穿过多个第1配线层的存储器柱MP、电连接于存储器柱的第2配线层BL、电连接于多个第1配线层中的任一个的第1电极108、及电连接于第2配线层的第2电极108；及第2芯片20，包含贴合于第1电极的第3电极210、及贴合于第2电极的第4电极210。第1方向上的第1电极的长度Hmw2大于第1方向上的第2电极的长度Hmc2。
主权项：1.一种半导体存储装置，其具备：第1芯片，包含于第1方向隔开积层多个第1配线层、于所述第1方向延伸并穿过所述多个第1配线层的存储器柱、电连接于所述存储器柱的第2配线层、电连接于所述多个第1配线层中的任一个的第1电极、及电连接于所述第2配线层的第2电极；及第2芯片，包含贴合于所述第1电极的第3电极、及贴合于所述第2电极的第4电极；且所述第1方向上的所述第1电极的长度大于所述第1方向上的所述第2电极的长度。
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