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申请/专利权人:苏州芯晟半导体科技有限公司
摘要:本发明公开一种大功率长波红外量子级联激光器及其制作方法。该激光器包括:激光器单元,包括依序层叠设置的衬底、下波导层、下光学限制层、有源层、上光学限制层和上波导层;沟槽结构,通过对激光器单元蚀刻形成,包括位于激光器单元前端腔面的沟槽以及位于沟槽之间的双沟,所述双沟和沟槽均从上波导层向衬底方向延伸且穿过有源层;填充材料,填充于所述沟槽结构中,所述填充材料包括半绝缘InP。本发明通过在激光器腔面处刻蚀沟槽,然后外延高热导率的半绝缘InP,移除腔面增益,大幅降低腔面处光功率密度,同时改善腔面处散热,从而优化长波红外量子级联激光器的腔面热特性,提升输出功率和器件可靠性。
主权项:1.一种大功率长波红外量子级联激光器,其特征在于,包括:激光器单元,包括依序层叠设置的衬底、下波导层、下光学限制层、有源层、上光学限制层和上波导层;沟槽结构,通过对激光器单元蚀刻形成,包括位于激光器单元前端腔面的沟槽以及位于沟槽之间的双沟,所述双沟和沟槽均从上波导层向衬底方向延伸且穿过有源层;填充材料,填充于所述沟槽结构中,所述填充材料包括半绝缘InP。
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